| 型号： | IRF7701GTRPBF | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | International Rectifier | 描述： | MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IRF7701GTRPBF PDF |  |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 08/Jul/2011 |
| 产品目录绘图 | IR Hexfet 8-TSSOP |
| 标准包装 | 4,000 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11 毫欧 @ 10A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 100nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5050pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-TSSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1521 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | IRF7701GTRPBFTR |